onsemi NSVBC123JDXV6T5G - onsemi Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NSVBC123JDXV6T5G

СС SOT563 SRF MT RST XSTR

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NSVBC123JDXV6T5G
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6430
  • Артикул: НСВБК123JDXV6T5G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора 2 NPN — с предварительным смещением (двойной)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50В
Резистор — база (R1) 2,2 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 47 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 80 при 5 мА, 10 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250 мВ при 1 мА, 10 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА
Частота – переход -
Мощность - Макс. 500мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СОТ-563, СОТ-666
Поставщик пакета оборудования СОТ-563
Базовый номер продукта НСВБК123
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 488-NSVBC123JDXV6T5GTR
Стандартный пакет 8000
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN — сварным смещением (двойной), 50 В, 100 мА, 500 мВт, для поверхностного монтажа SOT-563