onsemi NSVMMUN2132LT1G-M01 — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NSVMMUN2132LT1G-M01

НСВММУН2132LT1G-M01

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NSVMMUN2132LT1G-M01
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 1956 год
  • Артикул: НСВММУН2132LT1G-M01
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора ПНП — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В
Резистор — база (R1) 4,7 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 4,7 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 15 @ 5 мА, 10 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250 мВ при 1 мА, 10 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА
Мощность - Макс. 246 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Поставщик пакета оборудования СОТ-23-3 (ТО-236)
Базовый номер продукта НСВММУН2132
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 488-НСВММУН2132LT1G-M01
Стандартный пакет 1
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP — с предварительным смещением, 50 В, 100 мА, 246 мВт, для внешнего монтажа SOT-23-3 (ТО-236)