| Параметры |
| Производитель | Корпорация Микросеми |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 7,5 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 200 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 2,5 В при 1 А, 5 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 1 мА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 6 @ 7,5 А, 4 В |
| Мощность - Макс. | 150 Вт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 150°С (ТДж) |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-82 |
| Базовый номер продукта | 2Н1016 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 200 В 7,5 А 150 Вт ТО-82