Philips PDTC114EM,315 — Philips Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Philips PDTC114EM,315

ТРАНЗИСТОР С РЕЗИСТОРОМ NPN

  • Производитель: Филипс
  • Номер производителя: Philips PDTC114EM,315
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 9206
  • Артикул: ПДТК114ЕМ,315
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Филипс
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора NPN — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В
Резистор — база (R1) 10 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 10 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 30 при 5 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 150 мВ @ 500 мкА, 10 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 мкА
Мощность - Макс. 250 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СК-101, СОТ-883
Поставщик пакета оборудования DFN1006-3
Базовый номер продукта ПДТК114
Статус RoHS Непригодный
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Поставщик не определен
Стандартный пакет 10 000
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением, 50 В, 100 мА, 250 мВт, для поверхностного монтажа DFN1006-3