Технология микрочипа JAN2N1890S — биполярная технология микрочипа (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Микрочиповая технология JAN2N1890S

2 января 1890 года

  • Производитель: Микрочиповая технология
  • Номер производителя: Микрочиповая технология JAN2N1890S
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 3371
  • Артикул: 2 января 1890 года
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Микрочиповая технология
Ряд Военный, MIL-PRF-19500/225
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 80 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 5 В при 15 мА, 150 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 10нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 при 150 мА, 10 В
Мощность - Макс. 800 мВт
Частота – переход -
Рабочая температура -65°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка
Поставщик пакета оборудования ТО-39 (ТО-205АД)
Статус RoHS не соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор NPN 80 В 500 мА 800 мВт сквозное отверстие ТО-39 (ТО-205АД)