Технология микрочипа JAN2N5339U3 — биполярная технология микрочипа (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Микрочиповая технология JAN2N5339U3

ЯН2Н5339У3

  • Производитель: Микрочиповая технология
  • Номер производителя: Микрочиповая технология JAN2N5339U3
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 4455
  • Артикул: ЯН2Н5339У3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $97.4491

Дополнительная цена:$97.4491

Подробности

Теги

Параметры
Рабочая температура -65°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-276АА
Поставщик пакета оборудования У-3 (ТО-276АА)
Статус RoHS не соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Производитель Микрочиповая технология
Ряд Военный, MIL-PRF-19500/560
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мкА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 100 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1,2 В при 500 мА, 5 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100 мкА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 60 @ 2А, 2В
Мощность - Макс. 1 Вт
Частота – переход -
Биполярный (BJT) транзистор NPN 100 В 100 мкА 1 Вт для поверхностного монтажа У-3 (ТО-276АА)