| Параметры |
| Производитель | Ренесас |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип транзистора | ПНП |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 350 мВ при 50 мА, 500 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100нА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 90 при 100 мА, 1 В |
| Частота – переход | 120 МГц |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | 3-ССИП |
| Поставщик пакета оборудования | - |
| Другие имена | 2156-2СБ605-Т-АЗ |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор PNP, 120 МГц, сквозное отверстие