Renesas Electronics America Inc HSG1002VE-TL-E
RF 0,035AC ГЕРМАНИЯ NPN
- Производитель: Ренесас Электроникс Америка Инк.
- Номер производителя: Renesas Electronics America Inc HSG1002VE-TL-E
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 519
- Артикул: HSG1002VE-TL-E
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Ренесас Электроникс Америка Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 3,5 В |
| Частота – переход | 38 ГГц |
| Коэффициент шума (дБ, тип@f) | 0,7 дБ ~ 1,8 дБ при 1,8 ГГц ~ 5,8 ГГц |
| Прирост | 8 дБ ~ 19,5 дБ |
| Мощность - Макс. | 200мВт |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 при 5 мА, 2 В |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 35 мА |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 4-СМД, Крыло Чайки |
| Поставщик пакета оборудования | 4-МФПАК |
| Статус RoHS | Непригодный |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 0000.00.0000 |
| Стандартный пакет | 10 000 |
РЧ-транзистор NPN 3,5 В 35 мА 38 ГГц 200 мВт для внешнего монтажа 4-MFPAK
