Renesas Electronics America Inc HSG1002VE-TL-E
RF 0,035AC Band Germanium NPN
- Проиджоделх: Renesas Electronics America Inc
- NoMerPOIзVODITELEL: Renesas Electronics America Inc HSG1002VE-TL-E
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 519
- Sku: HSG1002VE-TL-E
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Renesas Electronics America Inc |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| Это | Npn |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 3,5 В. |
| ASTOTA - PRERESHOD | 38 Гер |
| ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F) | 0,7 деб ~ 1,8 дебр 1,8 гг ~ 5,8 гг. |
| Прирост | 8 дБ ~ 19,5 ДБ |
| Синла - МАКС | 200 м |
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 5MA, 2V |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 35 май |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 4-SMD, крхло |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 4-мфпак |
| Статус Ройс | Neprigodnnый |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 0000.00.0000 |
| Станодар | 10000 |
Rf транзистор NPN 3,5- 35 мам 38 гг-200 м.
