Парметр |
Млн | Renesas Electronics America Inc |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Управо |
Это | 2 npn (дВОХАНЕй) |
Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 10 В |
ASTOTA - PRERESHOD | 7 гер |
ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F) | 1,4db @ 1 ggц |
Прирост | 12 дБ |
Синла - МАКС | 200 м |
DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 70 @ 7ma, 3V |
Current - Collector (IC) (MMAKS) | 65 май |
Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 6-tssop, SC-88, SOT-363 |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOT-363 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.21.0075 |
Станодадж | 3000 |
RF Transistor 2 Npn (Dual) 10- 65 мам 7-е гонку 200 мт-веду