Renesas GA1A4Z-T1-A — Renesas Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ренесас GA1A4Z-T1-A

GA1A4Z — РЕГИСТР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ BUI

  • Производитель: Ренесас
  • Номер производителя: Ренесас GA1A4Z-T1-A
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 11
  • Артикул: GA1A4Z-T1-A
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1100

Дополнительная цена:$0,1100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ренесас
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора NPN — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В
Резистор — база (R1) 10 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 135 при 5 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 200 мВ при 250 мкА, 5 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА
Мощность - Макс. 150 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СК-70, СОТ-323
Поставщик пакета оборудования СК-70
Базовый номер продукта GA1A4Z
Статус RoHS не соответствует RoHS
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 2156-GA1A4Z-T1-А
Стандартный пакет 2719
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением, 50 В, 100 мА, 150 мВт, для поверхностного монтажа SC-70