Renesas KA4L4M(0)-T1-A - Renesas Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ренесас KA4L4M(0)-T1-A

КА4Л4М - Резистор встроенный биполярный

  • Производитель: Ренесас
  • Номер производителя: Ренесас KA4L4M(0)-T1-A
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 6019
  • Артикул: КА4Л4М(0)-Т1-А
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ренесас
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора NPN — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В
Резистор — база (R1) 47 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 47 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 85 при 50 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 200 мВ при 250 мкА, 5 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Мощность - Макс. 200 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СК-75, СОТ-416
Поставщик пакета оборудования СК-75
Другие имена 2156-КА4Л4М(0)-Т1-А
Стандартный пакет 1
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением, 50 В, 100 мА, 200 мВт, для поверхностного монтажа SC-75