| Параметры | 
                                                                                                                                                      | Производитель | Ренесас | 
                                                                                                                  | Ряд | - | 
                                                                                                                  | Упаковка | Масса | 
                                                                                                                  | Статус продукта | Устаревший | 
                                                                                                                  | Тип транзистора | ПНП — предварительный смещенный | 
                                                                                                                  | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА | 
                                                                                                                  | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 В | 
                                                                                                                  | Резистор — база (R1) | 10 кОм | 
                                                                                                                  | Резистор — база эмиттера (R2) | 10 кОм | 
                                                                                                                  | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 80 при 50 мА, 5 В | 
                                                                                                                  | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 200 мВ при 250 мкА, 5 мА | 
                                                                                                                  | Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100нА (ИКБО) | 
                                                                                                                  | Мощность - Макс. | 200 мВт | 
                                                                                                                  | Тип монтажа | Поверхностный монтаж | 
                                                                                                                  | Пакет/ключи | СК-75, СОТ-416 | 
                                                                                                                  | Поставщик пакета оборудования | СК-75 | 
                                                                                                                  | Другие имена | 2156-КН4А4М(0)-Т1-А | 
                                                                                                                  | Стандартный пакет | 1 | 
                                                                                                                                      
                                                                           Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP — с предварительным смещением, 50 В, 100 мА, 200 мВт, для внешнего монтажа SC-75