onsemi MJD44E3T4G — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми MJD44E3T4G

MJD44E3T4G

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми MJD44E3T4G
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3
  • Артикул: MJD44E3T4G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,7500

Дополнительная цена:$0,7500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора NPN – Дарлингтон
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 10 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 80 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 2 В при 20 мА, 10 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 10 мкА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 1000 @ 5А, 5В
Мощность - Макс. 1,75 Вт
Частота – переход -
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Поставщик пакета оборудования ДПАК
Базовый номер продукта MJD44
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
Биполярный (BJT) транзистор NPN — Дарлингтон 80 В 10 А 1,75 Вт для поверхностного монтажа DPAK