Rohm Semiconductor 2SA2018E3HZGTL - Rohm Semiconductor Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник 2SA2018E3HZGTL

ТРАНС НПН 12В 0,5А ЕМТ3

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник 2SA2018E3HZGTL
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: 2SA2018E3HZGTL
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4400

Дополнительная цена:$0,4400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 12 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250 мВ при 10 мА, 200 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 270 при 10 мА, 2 В
Мощность - Макс. 150 мВт
Частота – переход 260 МГц
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СК-75, СОТ-416
Поставщик пакета оборудования ЕМТ3
Базовый номер продукта 2SA2018
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 3000
Биполярный (BJT) транзистор NPN 12 В 500 мА 260 МГц 150 мВт для поверхностного монтажа EMT3