ROHM Semiconductor 2SCR502E3HZGTL
Npn, sot-416, 30 a 500 май, обшиг
- Проиджоделх: ROHM Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: ROHM Semiconductor 2SCR502E3HZGTL
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 2
- Sku: 2scr502e3hzgtl
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 200 @ 100ma, 2v |
| Синла - МАКС | 150 м |
| ASTOTA - PRERESHOD | 360 мг |
| Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | SC-75, SOT-416 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Emt3 |
| Baзowый nomer prodikta | 2SCR502 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0095 |
| Станодадж | 3000 |
| Млн | ROHM Semiconductor |
| В припании | Автомобиль, AEC-Q101 |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Это | Npn |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 500 май |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 30 |
| Vce saturation (max) @ ib, ic | 300 мВ @ 10ma, 200 мая |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 200NA (ICBO) |
БИПОЛНА (bjt) Трангистор Npn 30- 500 мам 360 мг 150 мв.
