| Параметры |
| Производитель | Ром Полупроводник |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип транзистора | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50В |
| Резистор — база (R1) | 4,7 кОм |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 10 кОм |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 30 при 5 мА, 10 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500нА |
| Частота – переход | - |
| Мощность - Макс. | 300мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | СОТ-23-6 |
| Поставщик пакета оборудования | Мини6-Г4-Б |
| Базовый номер продукта | ДМС2640 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Другие имена | 846-DMC2640F0RTR |
| Стандартный пакет | 3000 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN — сварным смещением (двойной), 50 В, 100 мА, 300 мВт, для поверхностного монтажа Mini6-G4-B