Rohm Semiconductor DTB123TCHZGT116 — Rohm Semiconductor Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник DTB123TCHZGT116

DTB123TCHZG — ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник DTB123TCHZGT116
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3
  • Артикул: ДТБ123ТЧЗГТ116
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4100

Дополнительная цена:$0,4100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора ПНП — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 В
Резистор — база (R1) 2,2 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 при 50 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА (ИКБО)
Частота – переход 200 МГц
Мощность - Макс. 200 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Поставщик пакета оборудования ССТ3
Базовый номер продукта ДТБ123
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 3000
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP — с предварительным смещением 40 В, 500 мА, 200 МГц, 200 мВт, для поверхностного монтажа SST3