Ром Полупроводник DTB513ZE3TL
PNP, SOT-416, R1R2 LEAK ABSORPTI
- Производитель: Ром Полупроводник
- Номер производителя: Ром Полупроводник DTB513ZE3TL
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 2
- Артикул: DTB513ZE3TL
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Ром Полупроводник |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | PNP — предварительное размещение + диод |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 500 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 12 В |
| Резистор — база (R1) | 1 кОм |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 10 кОм |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 140 при 100 мА, 2 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300 мВ при 5 мА, 100 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500нА |
| Частота – переход | 260 МГц |
| Мощность - Макс. | 150 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | СК-75, СОТ-416 |
| Поставщик пакета оборудования | ЕМТ3 |
| Базовый номер продукта | ДТБ513 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0075 |
| Стандартный пакет | 3000 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP — с предварительным смещением + диод 12 В, 500 мА, 260 МГц, 150 мВт, для поверхностного монтажа EMT3
