Rohm Semiconductor DTD543XE3TL — Rohm Semiconductor Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник DTD543XE3TL

NPN, SOT-416, R1R2 LEAK ABSORPTI

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник DTD543XE3TL
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3
  • Артикул: DTD543XE3TL
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4000

Дополнительная цена:$0,4000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора NPN — предварительное размещение + диод
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 12 В
Резистор — база (R1) 4,7 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 10 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 140 при 100 мА, 2 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300 мВ при 5 мА, 100 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА
Частота – переход 260 МГц
Мощность - Макс. 150 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СК-75, СОТ-416
Поставщик пакета оборудования ЕМТ3
Базовый номер продукта ДТД543
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Другие имена 846-DTD543XE3TLDKR
Стандартный пакет 3000
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением + диод 12 В, 500 мА, 260 МГц, 150 мВт, для поверхностного монтажа EMT3