| Параметры |
| Производитель | Ром Полупроводник |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50В |
| Резистор — база (R1) | 4,7 кОм |
| Резистор — база эмиттера (R2) | - |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 при 5 мА, 10 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 150 мВ при 500 мкА, 5 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500нА (ИКБО) |
| Частота – переход | 250 МГц |
| Мощность - Макс. | 150 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | СОТ-563, СОТ-666 |
| Поставщик пакета оборудования | ЕМТ6 |
| Базовый номер продукта | ЭМХ53 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0075 |
| Стандартный пакет | 8000 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN — сварным смещением (двойной) 50 В, 100 мА, 250 МГц, 150 мВт, для внешнего монтажа EMT6