Парметр |
Млн | ROHM Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ИГБТ | По -прежнему |
Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 650 |
Current - Collector (IC) (MMAKS) | 88 а |
Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) | 150 А. |
Vce (on) (max) @ vge, ic | 2V @ 15V, 50a |
Синла - МАКС | 245 Вт |
Переклхейн | 980 мкд (на), 910 мкд (выключен) |
ТИПВ | Станода |
ЗArAd -vvoROT | 108 NC |
TD (ON/OFF) @ 25 ° C | 46NS/145NS |
ИСЛОВЕЕ ИСПАН | 400 В, 50 атмосфера, 10, 15 |
ВОЗНАЯ ВОЗНА | 88 м |
Raboч -yemperatura | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
PakeT / KORPUES | 247-3 |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | DO-247G |
Baзowый nomer prodikta | RGWS00 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 846-RGWS00TS65DGC13 |
Станодадж | 30 |
Полевое поле IGBT Стоп 650 В 88 A 245 sthereз oTwerSTIEED 247G