Технология микрочипа 2N3998 — биполярная технология микрочипа (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Микрочиповая технология 2N3998

2N3998

  • Производитель: Микрочиповая технология
  • Номер производителя: Микрочиповая технология 2N3998
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4578
  • Артикул: 2N3998
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $143,4538

Дополнительная цена:$143,4538

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Микрочиповая технология
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 5 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 80 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 2 В при 500 мА, 5 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 10 мкА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 40 @ 1А, 2В
Мощность - Макс. 2 Вт
Частота – переход -
Рабочая температура -65°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление шпильки
Пакет/ключи ТО-210АА, ТО-59-4, Шпилька
Поставщик пакета оборудования ТО-59
Базовый номер продукта 2N3998
Статус RoHS не соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор NPN 80 В 5 А 2 Вт Крепление на шпильке ТО-59