Парметр |
Манера | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | - |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Управо |
Это | 8 npn Дарлино |
Current - Collector (IC) (MMAKS) | 500 май |
Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 50 |
Vce saturation (max) @ ib, ic | 1,6 В 500 мк, 350 мая |
Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | - |
DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 1000 @ 350 май, 2 В |
Синла - МАКС | 1,47 Вт |
ASTOTA - PRERESHOD | - |
Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) |
МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
PakeT / KORPUES | 18-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 18-Dip |
Baзowый nomer prodikta | ULN2803 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Станодар | 800 |
БИПОЛНА (BJT) MMASCONWNSHOTOROROWROWROW 8 NPN Дарлингтон 50-500 мам 1,47.