Микрочиповая технология SG2823J-883B
SG2823J-883B
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология SG2823J-883B
- Упаковка: Трубка
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 5892
- Артикул: SG2823J-883B
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 8 НПН Дарлингтон |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 500 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 95В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1,6 В @ 500 мкА, 350 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | - |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 1000 при 350 мА, 2 В |
| Мощность - Макс. | - |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | - |
| Поставщик пакета оборудования | 18-CDIP |
| Базовый номер продукта | СГ2823 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 21 |
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 8 NPN Дарлингтона, 95 В, 500 мА, сквозное отверстие 18-CDIP
