онсеми EMG2DXV5T5
ЭМГ2DXV5T5
- Производитель: онсеми
- Номер производителя: онсеми EMG2DXV5T5
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 7059
- Артикул: ЭМГ2DXV5T5
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | онсеми |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип транзистора | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50В |
| Резистор — база (R1) | 47 кОм |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 47 кОм |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 80 при 5 мА, 10 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500нА |
| Частота – переход | - |
| Мощность - Макс. | 230мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | СОТ-553 |
| Поставщик пакета оборудования | СОТ-553 |
| Базовый номер продукта | ЭМГ2ДХ |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 8000 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN — сварным смещением (двойной), 50 В, 100 мА, 230 мВт, для поверхностного монтажа SOT-553
