onsemi MUN5216DW1T1 — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми MUN5216DW1T1

MUN5216DW1T1

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми MUN5216DW1T1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2759
  • Артикул: MUN5216DW1T1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора 2 NPN — с предварительным смещением (двойной)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50В
Резистор — база (R1) 4,7 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) -
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 160 при 5 мА, 10 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250 мВ при 1 мА, 10 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА
Частота – переход -
Мощность - Макс. 250 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
Поставщик пакета оборудования СК-88/СК70-6/СОТ-363
Базовый номер продукта МУН52
Статус RoHS не соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 3000
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN — сварным смещением (двойной), 50 В, 100 мА, 250 мВт, для поверхностного монтажа SC-88/SC70-6/SOT-363