| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 5 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 300 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1 В при 1 А, 5 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 200нА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 25 @ 1А, 5В |
| Мощность - Макс. | 1,2 Вт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-5 |
| Базовый номер продукта | 2N5667 |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 300 В 5 А 1,2 Вт сквозное отверстие ТО-5