| Параметры |
| Производитель | NXP США Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и коробка (ТБ) |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип транзистора | NPN — предварительный смещенный |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 800 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 40 В |
| Резистор — база (R1) | 2,2 кОм |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 10 кОм |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 500 при 300 мА, 5 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1,15 В @ 8 мА, 800 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500нА |
| Мощность - Макс. | 700 мВт |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-92-3 |
| Базовый номер продукта | ПБРН123 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 2000 г. |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением, 40 В, 800 мА, 700 мВт, сквозное отверстие ТО-92-3