| Параметры |
| Производитель | Корпорация Микросеми |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 200 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 900 В |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10нА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 30 при 20 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 1 Вт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-5 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Непригодный |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 900 В 200 мА 1 Вт сквозное отверстие ТО-5