NXP USA Inc. BFG425W,115 - NXP USA Inc. Биполярный (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. BFG425W,115

БФГ425В,115

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. BFG425W,115
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8801
  • Артикул: БФГ425В,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора НПН
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 4,5 В
Частота – переход 25 ГГц
Коэффициент шума (дБ, тип@f) 0,8 дБ ~ 1,2 дБ при 900 МГц ~ 2 ГГц
Прирост 20 дБ
Мощность - Макс. 135 МВт
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 50 при 25 мА, 2 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 30 мА
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СК-82А, СОТ-343
Поставщик пакета оборудования СМПАК-4
Базовый номер продукта БФГ42
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 3000
Радиочастотный транзистор NPN 4,5 В 30 мА 25 ГГц 135 мВт для напольного монтажа CMPAK-4