| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 500 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | - |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | - |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | - |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 4-СМД, без свинца |
| Поставщик пакета оборудования | УБ |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ХТСУС | 0000.00.0000 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 50 В 500 мА для поверхностного монтажа UB