Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-Y,LXHF — Toshiba Semiconductor and Storage Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-Y,LXHF

АВТО AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-Y,LXHF
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6
  • Артикул: HN1B01FU-Y,LXHF
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3700

Дополнительная цена:$0,3700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН, ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 150 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300 мВ при 10 мА, 100 мА / 250 мВ при 10 мА, 100 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 120 при 2 мА, 6 В
Мощность - Макс. 200мВт
Частота – переход 120 МГц, 150 МГц
Рабочая температура -
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
Поставщик пакета оборудования США6
Базовый номер продукта ХН1Б01
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 3000
Биполярная (BJT) транзисторная матрица NPN, PNP 50 В 150 мА 120 МГц, 150 МГц 200 мВт Для поверхностного монтажа US6