Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-Y,LXHF
АВТО AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
- Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
- Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-Y,LXHF
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 6
- Артикул: HN1B04FU-Y,LXHF
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Пакет/ключи | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 |
| Поставщик пакета оборудования | США6 |
| Базовый номер продукта | HN1B04 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0075 |
| Стандартный пакет | 3000 |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН, ПНП |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 150 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 250 мВ при 10 мА, 100 мА / 300 мВ при 10 мА, 100 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100нА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 120 при 2 мА, 6 В |
| Мощность - Макс. | 200мВт |
| Частота – переход | 150 МГц, 120 МГц |
| Рабочая температура | - |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Биполярная (BJT) транзисторная матрица NPN, PNP 50 В 150 мА 150 МГц, 120 МГц 200 мВт Для поверхностного монтажа US6
