Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-Y,LXHF — Toshiba Semiconductor and Storage Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-Y,LXHF

АВТО AEC-Q NPN + NPN TR VCEO: 50 В

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-Y,LXHF
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8
  • Артикул: HN1C01FE-Y,LXHF
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3900

Дополнительная цена:$0,3900

Подробности

Теги

Параметры
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 4000
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора 2 НПН (двойной)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 150 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250 мВ при 10 мА, 100 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 120 при 2 мА, 6 В
Мощность - Макс. 100мВт
Частота – переход 80 МГц
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СОТ-563, СОТ-666
Поставщик пакета оборудования ES6
Базовый номер продукта HN1C01
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 NPN (двойной) 50 В, 150 мА, 80 МГц, 100 мВт, для поверхностного монтажа ES6