| Параметры |                                      
                                                                                                                                                      | Производитель |                                          Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |                                      
                                                                                                                  | Ряд |                                          Автомобильная промышленность, AEC-Q101 |                                      
                                                                                                                  | Упаковка |                                          Лента и катушка (TR) |                                      
                                                                                                                  | Статус продукта |                                          Активный |                                      
                                                                                                                  | Тип транзистора |                                          NPN — предварительный смещенный |                                      
                                                                                                                  | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) |                                          100 мА |                                      
                                                                                                                  | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) |                                          50 В |                                      
                                                                                                                  | Резистор — база (R1) |                                          47 кОм |                                      
                                                                                                                  | Резистор — база эмиттера (R2) |                                          47 кОм |                                      
                                                                                                                  | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce |                                          80 при 10 мА, 5 В |                                      
                                                                                                                  | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |                                          300 мВ при 250 мкА, 5 мА |                                      
                                                                                                                  | Ток-отсечка коллектора (макс.) |                                          500нА |                                      
                                                                                                                  | Частота – переход |                                          250 МГц |                                      
                                                                                                                  | Мощность - Макс. |                                          100 мВт |                                      
                                                                                                                  | Тип монтажа |                                          Поверхностный монтаж |                                      
                                                                                                                  | Пакет/ключи |                                          СК-75, СОТ-416 |                                      
                                                                                                                  | Поставщик пакета оборудования |                                          ССМ |                                      
                                                                                                                  | Базовый номер продукта |                                          РН1104 |                                      
                                                                                                                  | Уровень чувствительности к влаге (MSL) |                                          1 (без блокировки) |                                      
                                                                                                                  | ECCN |                                          EAR99 |                                      
                                                                                                                  | ХТСУС |                                          8541.21.0095 |                                      
                                                                                                                  | Стандартный пакет |                                          3000 |                                      
                                                                                                                                      
                                                                           Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением 50 В, 100 мА, 250 МГц, 100 мВт, SSM для поверхностного монтажа