Toshiba Semiconductor and Storage RN4911FE,LXHF(CT — Toshiba Semiconductor and Storage Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage RN4911FE,LXHF(CT

АВТО AEC-Q 2-В-1 (ТОЧНО-СИМЕТРНЫЙ

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage RN4911FE,LXHF(CT
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8
  • Артикул: RN4911FE,LXHF(CT
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3800

Дополнительная цена:$0,3800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50В
Резистор — база (R1) 10 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) -
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 120 при 1 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300 мВ при 250 мкА, 5 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Частота – переход 200 МГц, 250 МГц
Мощность - Макс. 100мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СОТ-563, СОТ-666
Поставщик пакета оборудования ES6
Базовый номер продукта РН4911
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 4000
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) 50 В, 100 мА, 200 МГц, 250 МГц, 100 мВт, для поверхностного монтажа ES6