Технология микрочипа APT30GP60BDQ1G

АПТ30GP60BDQ1G

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT30GP60BDQ1G
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 5459
Артикул: АПТ30GP60BDQ1G
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $8.6900

Дополнительная цена:$8.6900

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	СИЛА МОС 7®
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	ПТ
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	100 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	120 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,7 В @ 15 В, 30 А
Мощность - Макс.	463 Вт
Переключение энергии	260 мкДж (вкл.), 250 мкДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	90 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	13 нс/55 нс
Условия испытаний	400В, 30А, 5Ом, 15В
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-247 [Б]
Базовый номер продукта	АПТ30ГП60
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

IGBT PT 600 В 100 А 463 Вт сквозное отверстие ТО-247 [Б]