NXP USA Inc. PDTB123EK,115 - NXP USA Inc. Биполярный (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. PDTB123EK,115

ТРАНС ПРЕБИАС ПНП 250МВт СМТ3

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PDTB123EK,115
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5626
  • Артикул: ПДТБ123ЕК,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 3000
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора ПНП — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В
Резистор — база (R1) 2,2 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 2,2 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 40 при 50 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА
Мощность - Макс. 250 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Поставщик пакета оборудования СМТ3; МПАК
Базовый номер продукта ПДТБ123
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP — с предварительным смещением 50 В, 500 мА, 250 мВт, для внешнего монтажа SMT3; МПАК