Микрочиповая технология JANTX2N2919U
JANTX2N2919U
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология JANTX2N2919U
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация:-
- Запас: 9518
- Артикул: JANTX2N2919U
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/355 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 2 НПН (двойной) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 30 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 60В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300 мВ при 100 мкА, 1 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 150 при 1 мА, 5 В |
| Мощность - Макс. | 350 мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 3-СМД, без свинца |
| Поставщик пакета оборудования | 3-СМД |
| Базовый номер продукта | 2Н2919 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 NPN (двойной) 60 В 30 мА 350 мВт Для поверхностного монтажа 3-SMD