| Параметры | 
                                                                                                                                                      | Производитель | Технология Янцзе | 
                                                                                                                  | Ряд | - | 
                                                                                                                  | Упаковка | Лента и катушка (TR) | 
                                                                                                                  | Статус продукта | Активный | 
                                                                                                                  | Тип транзистора | PNP — предварительное размещение + диод | 
                                                                                                                  | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА | 
                                                                                                                  | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 В | 
                                                                                                                  | Резистор — база (R1) | 10 кОм | 
                                                                                                                  | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 30 при 5 мА, 5 В | 
                                                                                                                  | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 
                                                                                                                  | Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500нА | 
                                                                                                                  | Частота – переход | 250 МГц | 
                                                                                                                  | Мощность - Макс. | 200 мВт | 
                                                                                                                  | Тип монтажа | Поверхностный монтаж | 
                                                                                                                  | Пакет/ключи | СК-70, СОТ-323 | 
                                                                                                                  | Поставщик пакета оборудования | СОТ-323 | 
                                                                                                                  | Базовый номер продукта | ДТА114 | 
                                                                                                                  | Статус RoHS | Соответствует RoHS | 
                                                                                                                  | Статус REACH | REACH не касается | 
                                                                                                                  | ECCN | EAR99 | 
                                                                                                                  | Другие имена | 4617-DTA114EUATR | 
                                                                                                                  | Стандартный пакет | 3000 | 
                                                                                                                                      
                                                                           Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP — с предварительным смещением + диод 50 В, 100 мА, 250 МГц, 200 мВт, для поверхностного монтажа SOT-323