| Параметры |
| Производитель | Технология Янцзе |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | NPN — предварительное размещение + диод |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 В |
| Резистор — база (R1) | 10 кОм |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 35 @ 5 мА, 10 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500нА |
| Частота – переход | 250 МГц |
| Мощность - Макс. | 246 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 |
| Поставщик пакета оборудования | СОТ-23 |
| Базовый номер продукта | DTC114 |
| Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| Другие имена | 4617-DTC114ECATR |
| Стандартный пакет | 3000 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением + диод 50 В, 100 мА, 250 МГц, 246 мВт, для поверхностного монтажа SOT-23