Янцзе Технология UMH2N
Транзисторы - биполярные (BJT) - Si
- Производитель: Технология Янцзе
- Номер производителя: Янцзе Технология UMH2N
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация:-
- Запас: 300
- Артикул: УМХ2Н
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Технология Янцзе |
| Ряд | УМХ2Н |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50В |
| Резистор — база (R1) | - |
| Резистор — база эмиттера (R2) | - |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 68 @ 5 мА, 5 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500нА |
| Частота – переход | 250 МГц |
| Мощность - Макс. | 150 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 |
| Поставщик пакета оборудования | СОТ-363 |
| Базовый номер продукта | УМХ2 |
| Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| Другие имена | 4617-УМХ2НТР |
| Стандартный пакет | 3000 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN — сварным смещением (двойной) 50 В, 100 мА, 250 МГц, 150 мВт, для внешнего монтажа SOT-363
