Технология Янце UMT1N
Транзисторы - биполярные (BJT) - Si
- Производитель: Технология Янцзе
- Номер производителя: Технология Янце UMT1N
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация:-
- Запас: 300
- Артикул: УМТ1Н
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Технология Янцзе |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 2 ПНП (двойной) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 150 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 500 мВ при 5 мА, 50 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100нА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 120 @ 1 мА, 6 В |
| Мощность - Макс. | 150 мВт |
| Частота – переход | 140 МГц |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 |
| Поставщик пакета оборудования | СОТ-363 |
| Базовый номер продукта | УМТ1 |
| Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| Другие имена | 4617-УМТ1НТР |
| Стандартный пакет | 3000 |
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 PNP (двойной) 50 В, 150 мА, 140 МГц, 150 мВт, для поверхностного монтажа SOT-363
